Silicon presenta Kit DDR2-1066

Silicon ha presentado su kit de memoria de 4 GB DDR2-1066 MHz. La nueva oferta de módulos de 2 GB tienen las siguientes características:

- Hacen uso de disipadores de aluminio.

- Trabjan a 10600 MHz con 5-5-5-15 a 2.0V.

Como ocurre con casi todos los producto de este fabricante el nuevo Kit Xpower de 4GB esta respaldado por una garantía de por vida. Su precio y fecha de salida no se saben todavía.

Fuente: Tcmagazine

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Super Talent ofrece memorias DDR3 RDIMMs y ECC UDIMMs para servidores

Super Talen ha presentado sus nuevas memorias DDR3 RDIMMs y DDR3 UDIMMs para servidores Intel, más adelante veréis sus precios.

Unos de los líderes en memorias del mercado ha anunciado hoy sus dos nuevas memorias RAM, concretamente la DIMM DDR3 RDIMMs y DDR3 ECC UDIMMs. Se ha diseñado para trabajar con procesadores de Intel, especialmente con los procesadores Nehalem.

Los modelos de memorias son:

- W1066EA1GM - 1GB DDR3-1066 ECC UDIMM CL7 1.5V 34$

- W1333EA1GM - 1GB DDR3-1333 ECC UDIMM CL9 1.5V 34$

- W1066EB2GM - 2GB DDR3-1066 ECC UDIMM CL7 1.5V 68$

- W1333EB2GM - 2GB DDR3-1333 ECC UDIMM CL9 1.5V 68$

- W1066RA1GM - 1GB DDR3-1066 RDIMM CL7 1.5V 105$

- W1333RB1GQ - 2GB DDR3-1333 RDIMM CL9 1.5V 105$

Todos estos módulos de memoria tienen una garantía de por vida.

Fuente: Tcmagazine

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El nuevo refrigerado Dragoon de Xigmatek

Xigmatek ha presentado su nuevo refrigerador para memorias RAM DDR, DDR2 y DDR3, su nombre es Dragoon N422. Sus medidas son de 76,5x9,6 y su peso de tan solo 105gr. Esta diseñado con aluminio y cobre para poder proporcionar el mayor enfriamiento posible a dichas memorias.

Su precio y fecha de salida aún no lo sabemos.

Fuentes: Tcmgazine

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Samsung producirá 2GB DDR3 a 40nm

Samsung ha anunciado su éxito con la primera memoria de 1Gbit DDR2 a 40nm y un 1GB de memoria DDR2 SODIMM.

Pues se ha elevado aún mas el listón, diciendo que podría producir en masa chips de 40nm DDR3. No hay mucha información sobre los nuevos productos de 40nm DDR3, que serán de 2Gb DDR3 y que debería empezar a producirse en masa a finales de 2009. El nuevo chip de 40nm promete ahorros de energía de 30% y es un importante paso hacia una transición a la DDR4.

Fuentes: Fudzilla
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Patriot lanzará memoria de triple canal

Patriot ha anunciado hoy el lanzamiento de su memoria de triple canal, en la que estará disponible en kits de 3GB (3 x 1 GB) y 6 GB (3 x 2 GB) a 1066MHz, con una latencia CAS 7. Tri-canal es compatible con todas las placas bases X58 DDR3.

"Con la economía actual, se ha hecho aún una mayor preocupación para el consumidor. Patriot Memoria asegura que proveemos soluciones que proporcionan el valor y la alta calidad que ha hecho de la memoria Patriot un líder en la industria de la memoria", dice JR Wakabayashi , director de marketing de Patriot Memory.

Fuentes: Techpowerup

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Kingston prepara 25GB Kit ValueRam DDR3

Kingston Memoria pone en desarrollo la tecnología de memoria en la dirección correcta, por upping por el módulo de la densidad de 4 GB. Cuando se produce en gran escala, los módulos pueden ir de 2x 4 GB de doble canal, 3x de 4 GB y 6x 4 GB de memoria de triple canal.

La prueba con una Gigabyte GA-EX58-UD5 e Intel Core i7 920 sistema basado en Kingston fue capaz de demostrar un enorme sistema de 24 GB de memoria del sistema por buen funcionamiento de varias máquinas virtuales, que sirve de prueba válida para mostrar cómo 24 GB de memoria ayuda. El video fue publicado en YouTube. Kingston, toma nota de su pre-producción 6x kit de 4 GB, aunque no es nada barato cuesta alrededor de 2000$ producirlo.

Fuentes: Techpowerup

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Samsung inicia la producción de GDDR5

Samsung Electronics ha anunciado hoy que ha empezado la producción en masa de los Chips GDDR5 fabricados a 55nm. Con 1.35V, 7Gbps de transferencia y configurado de 32MB a 32x, puede ser también en 64Mb 16x.

Mueez Deen, director de móviles y de memoria de gráficos, Samsung Semiconductor dijo: "Nuestros principios de 2009 la introducción de los chips GDDR5 nos ayudará a satisfacer la creciente demanda de memoria de gráficos de mayor rendimiento en PCs, tarjetas gráficas y las consolas de juego, porque es el más rápido GDDR5 y mayor rendimiento de memoria en el mundo, somos capaces de mejorar la experiencia de juego con ella a través de todas las plataformas."

Así que AMd y Nvidia estará ansiosos porque llegue el momento de equipar sus GPU con estos chips. Samsung también dice que GDRR5 representará el 20% total del mercado este año.

Fuentes: Tcmagazine Leer Mas...

Actica ECC emite DDR2- 800 para plataforma Shangai de AMD

ACTICA Inc anuncia la próxima generación DDR2-800/PC2-6400 ECC Registrada para plataformas AMD Opteron Shangai. ACTICA la nueva memoria DDR2 ECC REG-800 son compatibles con AMD Opteron de Shangai como Supermicro H8DMT, H8DMU +, H8DM3, H8DMA, H8DA3, H8DAi-2, E-Tyan S4985, S3992-E, E-S2927, S2915-E , E-S2912, S2937, S2935, y Asus KFSN4-DRE/SAS/iKV, KFSN4-DRE/iKVM.

ACT4GER72E4G800S-DDR2-800 4GB ECC REG-chip Samsung
ACT2GER72F8G800S --- DDR2-800 de 2 GB con ECC REG-chip Samsung ACT1GER72A8G800S --- DDR2-800 1GB ECC REG-chip Samsung

Podremos disponer de la versión de 800 MHz que permitirá mejorar el rendimiento de AMD para servidores basados en Opetron de Shanghai. Los módulos de 800 MHz de ancho de banda por el carril de alta velocidad de 4,8 Gbit / s - un aumento del 50% en comparación a 533 MHz y 20% en comparación con 667 MHz de versiones.

Disponibles en 1 GB, 2 GB y 4 GB. 8 GB de memoria DDR2-800 ECC REG saldrán 2T de este año.

Fuentes: Techpowerup Leer Mas...

Toshiba tiene prototipo de Feram

Toshiba anuncia el desarrollo de una nueva Feram (ferroeléctricas memoria de acceso aleatorio), esta RAM tiene una capacidad de almacenamiento de 128Mb y velocidades de lectura y escritura de 1.6GB / s. El nuevo Toshiba Feram modifica chainFeRAMTM, que contribuye significativamente a escala de chip, con una nueva arquitectura celular que impide la degradación de la señal, la habitual de escala de chip de desventaja. Según cuenta tiene una densidad de 128 megabits.

Permite la integración de la interfaz de memoria DDR2 para maximizar la transferencia de datos a un alto rendimiento a bajo consumo de energía, la realización de leer y escribir las velocidades de 1,6 gigabytes por segundo.

Las características principales de esta nueva tecnología es:

1. Mejora de la arquitectura ChainFeRAM ChainFeRAMTM

2. Nueva arquitectura inhibe la degradación de la señal Chip escalado causas de la degradación de la señal de la memoria almacenada polarización celular disminuye.

3. Interfaz de memoria DDR2.

Si nos ponemos ha pensar bien, no se hasta donde puede llegar a tener salida dicha memoria....

Fuentes: Dvhardware
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Buffalo prepara memorias DDR3 para MacBook de Apple

Buffalo esta preparando, para los MacBook Pro de apple, unas memorias SO-DIM, que vendrán en 2GB y 4GB, y en Kits de 4GBy 8GB.

Las velocidades serán:



- 2GB a 1333MHz (A3N-1333-2G) con una latencia CL9.

- 4GB a 1066MHz (A3N-1066-4G) con una latencia CL7.

- Kit de 4GB a 1033MHz (A3N-1333-2GBx2) con latencia CL9.

- Kit de 8GB a 1066MHz (A3N-1066-4GBx2) con latencia CL7.



A3N1066-4G, A3N1066-4GX2, A3N1333-2G y A3N1333-2GX2 están a un precio de alrededor de 898$, 1672$, 224$ y 440$ respectivamente. Incluye una garantía de 6 años. La fecha de salida no se sabe.

Fuentes:Tcmagazine Leer Mas...

Subida de precio DDR2

Según Dvhardware subirán los precios de los módulos de memorias DDR2, "los culpable" son:

A-Data, Thechnology and Power Quotient (PQI) y Transcend Information. Parece ser que en EEUU esta cada módulo de memoria DDR2 a 1$, pues ahora cada fabricante que hemos comentado antes le subirán 0.50$, es decir cada módulo estaría a 1.50$. Estos rumores pueden hacerse cierto a corto plazo nos comentan.

Yo la verdad me conformaría solo con que en España estuvieran a 6€ ó 7€ :D....

Fuentes: Dvhardware
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Kingston memoria 2GHz HiperX DDR3 triple canal de memoria

Kingston, líder mundial en productos de memorias, ha anunciado el lanzamiento de una memoria DDR3 con triple canal, sus iniciales son ULL (Ultra-low latency) en español viene a ser lantecia ultra baja.

Envio inmediato en kit de 3GB y 6GB, con una menor latencia de CAS 8, par poder rendir mejor en la plaraforma X58 y procesadores i7 de Intel.




Gama de módulo desde 2GHz-800MHz hasta 6GB-2000MHz, además el fabricante te respalda con uan garatía de por vida los 7 días de la semana las 24 horas. Para mas información ir a Kingston.

Fuente: Techpowerup

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Transcend y su Kits de memoria triple canal DDR3

Transcend infomática, uno de los principales fabricantes de módulo de memoria, presenta la liberación del Kit de triple canal de memoria DDR3-1333 para el uso de procesadores Intel Corei7 y X58 express y chipset de placas bases.

Transcend kits de triple canal están diseñados específicamente para la nueva plataforma, y ofrecen una combinación
optimizada de bajo voltaje (1.5V), generosa velocidad, y el aumento de la latencia (9-9-9-24) ideal para ofrecer el rendimiento y la compatibilidad con el siguiente generación de ordenadores. Disponible en 3GB (1GB x 3) y 6GB (2GB x 3).

Fuentes: Techpowerup

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